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Samsung Galaxy S23 vuelve a ser probado por Geekbench, a la vez que la compañía anuncia la primera DRAM DDR5

Samsung Galaxy S23 el cual se espera sea lanzado en el mes de febrero, mientras llega ese momento, Geekbench nos reveló otra prueba realizada al Smartphone Galaxy S23 antes de su anuncio.

El modelo destinado al mercado internacional es identificado como Samsung Galaxy SM-S911B, en su interior trae el conjunto de chips Snapdragon 8 Gen 2 con 8 GB de RAM. En la prueba realizada de un solo núcleo alcanzó los 578 puntos y 2118 puntos en el área de múltiples núcleos.

Samsung Galaxy S23 vuelve a ser probado por Geekbench. Movilesymas.net

Esta puntuación es notablemente más bajas que las pruebas realizadas anteriormente en el Galaxy S23, hay que tomar en cuenta que estos son dispositivos de prueba, por lo que las discrepancias son normales.

Estamos en la expectativa de que, si Samsung finalmente incluya una línea Snapdragon de móviles Galaxy S, obteniendo el chip Snapdragon 8 Gen 2 en el interior del Galaxy S23. También hay rumores que para las unidades europeas obtengan una versión overclockeada del conjunto de Chips de Qualcomm, la cual logró un impresionante puntaje de 1504 de un solo núcleo y 4580 múltiples núcleos.

Samsung anuncia una versión actualizada de su DRAM DDR5

La empresa de Corea del Sur, Samsung, anunció el día de hoy una versión actualizada de su DRAM DDR5 de 16 GB, dicha memoria se basa en la tecnología de proceso de 12 nanómetros, actualizando el producto EUV de 14 nm presente actualmente en el mercado.

Samsung anuncia la primera DRAM DDR5 de 12 nm. Movilesymas.net

En el anuncio se aclaró que la nueva DRAM DDRR5 es compatible con los productos AMD: optimizándose y validada en las plataformas Zen.

El vicepresidente ejecutivo de DRAM Product & Technology en Samsung, Jooyoung Lee, dijo que el nuevo estándar sería un factor clave en la adopción de DDR5 DRAM en todo el mercado.

Fabricado con un nuevo material con el cual se consigue un aumento de la capacidad de la celda, tecnología de diseño patentada mejorando las características del circuito.

Esta nueva DRAM está basada en litografía EUV (ultravioleta extremo), lo que se traduce en una mayor densidad de matriz y una productividad de obleas un 20 % mejor. A esto le agregamos un menor consumo, dígase un 23% menos de energía, una buena noticia para las empresas TI de frente con el medio ambiente.

No será hasta el 2023 que se inicie el envió de las primeras tarjetas de memora con la nueva DRAM DDR5.

Fuente 1/ Fuente 2

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